Perbedaan antara IGBT dan GTO
IGBT vs GTO
GTO (Turn-off Thyristor) dan IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal. Keduanya digunakan untuk mengontrol arus dan untuk tujuan switching. Kedua perangkat memiliki terminal pengontrol yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.
GTO (Turn-off Thyristor)
GTO terbuat dari empat tipe P tipe P dan lapisan semikonduktor tipe N, dan struktur perangkat sedikit berbeda dibandingkan dengan thyristor normal. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN), sama seperti untuk thyristor normal. Tiga terminal GTO disebut 'anoda', 'katoda' dan 'gerbang'.
Dalam operasi, tindakan thyristor yang melakukan ketika denyut nadi disediakan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'Mode Pemblokiran Terbalik', 'Mode Pemblokiran Maju' dan 'Mode Pengembangan Maju'. Setelah gerbang dipicu dengan denyut nadi, Thyristor pergi ke 'mode konduktor ke depan' dan terus melakukan sampai arus ke depan menjadi kurang dari ambang 'menahan arus'.
Selain fitur thyristor normal, keadaan 'off' GTO juga dapat dikendalikan melalui pulsa negatif. Dalam thyristor normal, fungsi 'off' terjadi secara otomatis.
GTO adalah perangkat daya, dan sebagian besar digunakan dalam aplikasi saat ini.
Transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'emitor', 'kolektor' dan 'gerbang'. Ini adalah jenis transistor yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga efisien tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980 -an.
IGBT IS memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan Bipolar Junction Transistor (BJT). Ini didorong oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan saat ini seperti BJTS. Oleh karena itu ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan saat ini dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani kilowatt daya.
|
Apa perbedaan antara IGBT dan GTO? 1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan GTO memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda dan gerbang. 2. Gerbang GTO hanya membutuhkan pulsa untuk beralih, sedangkan IGBT membutuhkan pasokan tegangan gerbang yang berkelanjutan. 3. IGBT adalah jenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang dapat dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan dengan ketat dalam analisis. 4. IGBT hanya memiliki satu persimpangan PN, dan GTO memiliki tiga dari mereka 5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi. 6. GTO membutuhkan perangkat eksternal untuk mengontrol mematikan dan pada pulsa, sedangkan IGBT tidak perlu.
|
