Perbedaan antara BJT dan IGBT

BJT vs IGBT

BJT (transistor persimpangan bipolar) dan IGBT (transistor bipolar gerbang terisolasi) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki persimpangan PN dan berbeda dalam struktur perangkat. Meskipun keduanya transistor, mereka memiliki perbedaan karakteristik yang signifikan.

BJT (transistor persimpangan bipolar)

BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari dua persimpangan PN (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N). Dua persimpangan ini dibentuk menggunakan menghubungkan tiga bagian semikonduktor dalam urutan P-N-P atau N-P-N. Oleh karena itu dua jenis BJT, yang dikenal sebagai PNP dan NPN, tersedia.

Tiga elektroda terhubung ke tiga bagian semikonduktor ini dan timbal tengah disebut 'basis'. Dua persimpangan lainnya adalah 'emitor' dan 'kolektor'.

Di BJT, pemancar kolektor besar (i_C) Arus dikendalikan oleh arus emitor dasar kecil (i_B), dan properti ini dieksploitasi untuk merancang amplifier atau sakelar. Oleh karena itu, ini dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan saat ini. BJT sebagian besar digunakan di sirkuit penguat.

IGBT (transistor bipolar gerbang terisolasi)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'emitor', 'kolektor' dan 'gerbang'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga efisien tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980 -an.

IGBT memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan Bipolar Junction Transistor (BJT). Ini didorong oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan saat ini seperti BJTS. Oleh karena itu ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan saat ini yang tinggi, dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani kilowatt daya.